关于GalaxyS23的谣言正以惊人的速度累积，并且毫无疑问会继续这样下去，直到我们看到三星的下一款旗舰产品(预计在2023年2月初)。然而，公平地说，我们已经非常了解即将推出的三款产品将带来什么包括。随着今天的泄密，我们似乎知道了更多。

知名泄密者和Twitter人物IceUniverse认为，三星可能已经获得了高通Snapdragon8Gen2的独家版本(前几天刚刚宣布)，并将在2023年初用于其旗舰系列。作为证据，泄密者向我们展示了一个据称是Geekbench5的列表，它为我们提供了三星SM-S918B设备的完整独家新闻，该设备预计是配备SPen的GalaxyS23Ultra的型号。

与拥有超高性能3.2GHzCortex-X3内核的常规Snapdragon8Gen2不同，三星独占版本似乎一直超频到3.32GHz。这可能看起来不是那么大的差异，但它很可能最终成为一个相当重要的差异，可以使GalaxyS23系列在Android竞争中脱颖而出，Android竞争最终将获得略逊一筹的Snapdragon8Gen2版本，具有较低的高性能内核的最大时钟。

从上面截图中传出的GalaxyS23Ultra得分来看，它大大超越了GalaxyS22Ultra，并且非常接近为iPhone13Pro/iPhone13ProMax提供动力的AppleA15Bionic，以及iPhone14和iPhone14Plus。

GalaxyS23系列将打破两个独立版本(Snapdragon和Exynos版本)的模式，并将完全由Snapdragon8Gen2提供动力。高通公司的最新芯片组于前几天发布，与之前的芯片组相比有一些非常有希望的改进一代。新芯片比其前身Snapdragon8Gen1快25%，效率高45%(!)，这无疑给了我们乐观的前景。

常规的Snapdragon8Gen2包括一个主频为3.2GHz的主Cortex-X3内核、两个主频为2.8GHz的Cortex-A715和两个Cortex-A710性能内核，以及三个主频为2.0GHz的高效Cortex-A510内核。这是一个非常新颖的设置，与在Snapdragon8Gen1上流行的1+3+4设置有很大不同，Snapdragon8Gen1的芯片组存在大量问题，高通不得不抛在脑后。

其中许多可能归因于三星代工厂自身的劣质制造工艺，这种工艺并没有真正削减它，并导致台积电在骁龙8+Gen1、骁龙8Gen2，甚至据报道甚至是骁龙8+Gen中占据了狮子的位置2个筹码。所有这些都依赖于TSMC的4nmN4P工艺，这似乎在硅的整体稳定性和效率方面创造了奇迹。

为什么三星获得如此漂亮的Snapdragon8Gen2超频版本，而其他Android手机制造商可能只有在GalaxyS23发布后才能获得?好吧，如果我们可以推测的话，我们会说三星完全依赖高通的Snapdragon并放弃自己的Exynos芯片组产品线是一个相当强大的杠杆，要求稍微调整芯片组版本作为补偿，因为三星是一个特别大的客户，绝对可以提出这样的要求。

高通也可能不愿意在未来失去三星作为潜在合作伙伴，尽管台积电目前非常受欢迎。毕竟，这家韩国巨头很可能会摆脱其4nm制造工艺所造成的陈规，良率低得令人不快，而且其生产的Exynos和Snapdragon芯片都存在许多散热和性能问题。自2022年夏季以来，三星一直在研发其第二代3nmGAA(Gate-All-Around)晶体管架构，该架构“打破了FinFET的性能限制”，而且令人印象深刻的是，它还被认为“可将功耗降低多达50%”%，与公司的5nm制造节点相比，性能提升30%，面积减少35%”。